鉿用于最新的intel45納米處理器。由于二氧化硅(SiO2)具有易制性(Manufacturability),且能減少厚度以持續(xù)改善晶體管效能,處理器廠商均采用二氧化硅做為制作柵極電介質(zhì)的材料。當(dāng)英特爾導(dǎo)入65納米制造工藝時,雖已全力將二氧化硅柵極電介質(zhì)厚度降低至1.2納米,相當(dāng)于5層原子,但由于晶體管縮至原子大小的尺寸時,耗電和散熱難度亦會同時增加,產(chǎn)生電流浪費(fèi)和不必要的熱能,因此若繼續(xù)采用時下材料,進(jìn)一步減少厚度,柵極電介質(zhì)的漏電情況勢將會明顯攀升,令縮小晶體管技術(shù)遭遇極限。為解決此關(guān)鍵問題,英特爾正規(guī)劃改用較厚的高K材料(鉿元素為基礎(chǔ)的物質(zhì))作為柵極電介質(zhì),取代二氧化硅,此舉也成功使漏電量降低10倍以上。
另與上一代65納米技術(shù)相較,英特爾的45納米制程令晶體管密度提升近2倍,得以增加處理器的晶體管總數(shù)或縮小處理器體積,此外,晶體管開關(guān)動作所需電力更低,耗電量減少近30%,內(nèi)部連接線 (interconnects) 采用銅線搭配低k電介質(zhì),順利提升效能并降低耗電量,開關(guān)動作速度約加快 20%。